SQM120N10-3M8_GE3
MOSFET N-CH 100V 120A TO263
Número da peça
SQM120N10-3M8_GE3
Fabricante/Marca
Series
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Status da peça
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-263 (D²Pak)
Dissipação de energia (máx.)
375W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
100V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
3.8 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
3.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
190nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
7230pF @ 25V
Vgs (máx.)
±20V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
10V
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